2019-03-27 11:58发布
原帖由 yangxf1217 于 2012-5-15 13:30 发表 具体器件的选用上有什么讲究呢？D1、D2、Q1、R1和R2。
具体器件的选用上有什么讲究呢？D1、D2、Q1、R1和R2。
1、器件选型 D1：稳压管，选取稳定电压稍高于两电源的压差，使得FET在有12V时充分截止，无12V时充分导通。
D2：肖特基二极管，尽量选正向压降小的，因12V供电时要流过1A电流，用普通二极管的话压降太大会发热。
Q1：P沟道MOSFET，普通的。电流够就行。
R1和R2：注意当12V失电、16V供电时流过稳压管的电流值，应在稳压管的工作范围内。
2、直接用稳压管降4V的办法不太合适，因为有1A电流流过，电路会发烫。
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1、器件选型
D1：稳压管，选取稳定电压稍高于两电源的压差，使得FET在有12V时充分截止，无12V时充分导通。
D2：肖特基二极管，尽量选正向压降小的，因12V供电时要流过1A电流，用普通二极管的话压降太大会发热。
Q1：P沟道MOSFET，普通的。电流够就行。
R1和R2：注意当12V失电、16V供电时流过稳压管的电流值，应在稳压管的工作范围内。
2、直接用稳压管降4V的办法不太合适，因为有1A电流流过，电路会发烫。
[ 本帖最后由 仙猫 于 2012-5-15 16:47 编辑 ]一周热门 更多>