{var%20f='http://v.t.sina.com.cn/share/share.php?appkey=1515056452',u=z||d.location,p=['&url=',e(u),'&title=',e(t||d.title),'&source=',e(r),'&sourceUrl=',e(l),'&content=',c||'gb2312','&pic=',e(p||'')].join('');function%20a(){if(!window.open([f,p].join(''),'mb',['toolbar=0,status=0,resizable=1,width=440,height=430,left=',(s.width-440)/2,',top=',(s.height-430)/2].join('')))u.href=[f,p].join('');};if(/Firefox/.test(navigator.userAgent))setTimeout(a,0);else%20a();})(screen,document,encodeURIComponent,'','','https://www.xiaopingtou.cn//data/attach/topic/topicKPo7gB.jpg', '推荐 素年白衣 的文章《stm32电源控制》','https://www.xiaopingtou.cn/article-85248.html','页面编码gb2312|utf-8默认gb2312'));){kind=link}
看了手册关于电源控制的这一张，我觉得先了解下相关寄存器比较好，而且相关寄存器只有两个，看完就还不容易忘记，如果按照手册上的读，看完前面的，再去看寄存器，前面的已经忘了。看完寄存器，脑子里面还能有点印象，刚好看前面的，就很有节奏感。借此做如下总结：
供电： VDD：2.0V--3.6V； 内嵌的电压管理器为内部数字区域分配1.8V电压； VBAT：当VDD不供电时，为RTC和Backup供电。通俗就是电池供电。
独立的A/D和D/A供电和参考电压： 为了提高转换精度，ADC和DAC需要独立的可以被滤波和从噪声中屏蔽的供电电源：VDDA作为供电输入,VSSA作为孤立的地，VREF-必须和VSSA连接；（这里我有个地方不太懂，前面说VDDA和VSSA必须相应连接VDD和VSS，这里又说需要使用VDDA和VSSA为ADC和DAC独立供电，这里很明显前后矛盾了，我在相关的群里问过，有人回答一般应用里面是直接连起来的。今天本打算去问老师，下课时，被拥挤的人流阻挡。。。如果大家有更好的建议，谢谢留言！） 在100-Pin和144-Pin中，VREF+是需要连接参考电压的，范围：2.4V--VDDA； 在少于等于64-Pin中，VREF-和VREF+都是不可用的，内部自动连接了ADC的VDDA和VSSA； 电池备份区域： 通过图，很好理解VBAT为那些东西（RTC单元、LSE振荡器、PC13、PC14、PC15）供电，实现从VDD转向VBAT供电，是通过复位模块的掉电复位PDR实现的。 在上升时间或者检测到一个PDR时，VBAT和VDD之间的切换还是保持在VBAT；在启动的时候，如果VDD稳定的时间小于上升时间TRSTTEMPO，并且VDD>VBAT+0.6V,一个电流就会从内部的连接VDD和Switch的二极管进去VBAT；如果VBAT不能承受这个电压，可以在VDD和VBAT之间放一个二极管。 不使用外部电池的时候，可以直接通过一个陶瓷二极管把VBAT和VDD连接. Backup由VDD供电： PC14和PC15可以被用作GPIO口和LSE； PC13可以用作GPIO、TAMPER、RTC校验时钟、RTC Alarm或者秒输出（register：BKR） PC13 to PC15不能用作电流源，最大输出3mA，最高速度2MHz和最大负载30pF Backup由VBAT供电： PC14和PC15可用作LSE； PC13可用作TAMPER，RTC Alarm或者秒输出（register：BKP_RTCCR）； 电压管理器： 复位后自动使能，三种模式： Run mode：为1.8V区域（core、memories和数字外设）正常供电； Stop mode：为1.8V提供低电源，保存SRAM中的内容； Standby mode：regulator被断电，除了Standby电路和Backup区域，寄存器、SRAM内容丢失； 供电管理器： POR和PDR：上升/下降到2V，复位启动；
相关寄存器： 电源控制寄存器（PWR_CR）：
DBP：消除备份区域的写保护，在复位状态，RTC和Backup寄存器被保护不被寄生的写入，为了对这些寄存器进行写操作，必须对DBP置位；
PLS[2:0]:PVD的等级选择
000--2.2V 001--2.3V 010--2.4V 011--2.5V .... 111--2.9V
PVDE:PVD使能位
CSBF:清楚待机标志位
CWUF:清楚唤醒标志位
PDDS:掉电深入睡眠位，同LPDS一起工作
0--当CPU进入深度睡眠，进入Stop模式，regulator状态由LPDS决定
1--当CPU进入深度睡眠，进入Standby模式
LPDS:低电源深度睡眠
0--电压管理器正常工作在Stop模式
1--电压管理器在Stop模式下出去低电源
电源控制/状态寄存器(PWR_CSR)：
EWUP:使能WKUP引脚,该位需要通过系统复位来复位
0--WKUP引脚被用作通用IO口，一个Event不会使CPU从Standby模式恢复；
1--WKUP引脚被用来唤醒CPU从Standby模式，并且强迫使输入电平拉低，当检测当上升沿的时候，CPU苏醒；
PVDO:PVD的输出,只有当PVDE被置位时，该位才有效.PVD会被Standby模式停止掉，PVD为0，当从Standby模式和 Reset启动后
0--VDD/VSSA比PLS中选中的电压高;
1--VDD/VSSA比PLS中选中的电压低;
SBF:Standby标志位(硬件置位，通过POR/PDR或者CSBF--PWR_CR位清0)
WUF:Wakeup标志位(硬件置位，通过硬件、系统复位、CWUF--PWR_CR位清0)
PVD可编程电压检测器： PVDE位使能;
监视VDD和VDDA的供电，通过和PLS[2:0]（PWR_CR）中选择的电压比较,PVDO标志位指示状态； 内部连接EXTI 16，使能EXTI寄存器，可以产生中断。当VDD/VDDA上升超过或者下降低于PVD设定值，就可以通过EXTI16产生中断输出。
低电源模式：
默认情况下，系统和电源复位，微控制器是在Run模式。
stm32f10XXX有三种低电源模式：
Sleep mode：CPU时钟关闭，其它保持；
Stop mode：所有时钟关闭；
Standby mode：1.8V区域断电；
通过降低系统时钟（RCC_CFGR）、APB时钟(RCC_APB1ENR、RCC_APB2ENR)和AHB外设可以降低能耗在Run mode下。
解释几个简写： WFI：Wait For Interrupt WFE：Wait For Event
Sleep mode: Sleep-now:SLEEPONEXIT清除，只要WFI和WFE指令执行，MCU就进入Sleep模式； Sleep-on-exit:SLEEPONEXIT被置位，只要退出最低权限ISR，MCU就进入Sleep模式； 在Sleep模式下，所有的I/O口保持相同的状态在Run模式下； 这种模式的唤醒实践最长，因为浪费在了中断进入和中断离开；
Stop mde: SRAM和寄存器中的内容被保持； 所有的I/O口保持在相同状态，在Run mode下； 内部电源管理器可以被设置为低电源模式（PWR_CR的LPDS位），再降低能耗； 如果编程或者APB通道正在进行，Stop模式的进入会延迟； 在此模式下，通过编程可以选择如下功能： IWDG：一旦开始，就只能通过复位关闭； RTC：RCC_BDCR的RTCE位使能； LSI RC:RCC_CSR的LSION位配置; LSE OSC:RCC_BDCR的LSEON位配置; ADC和DAC在Stop模式下会消耗电能，除非在进入Stop之前关闭。ADON（ADC_CR2）和ENx(DAC_CR)必须为0；
Standby mode： 该模式的能耗最低，基于Cortex-m3的深度睡眠，1.8V区域断电，PLL、HSI、HSE关闭，SRAM和寄存器内容丢失，只有Backup区域的寄存器和Standby电路保持；
在此模式下，通过编程可以选择如下功能： IWDG：一旦开始，就只能通过复位关闭； RTC：RCC_BDCR的RTCE位使能； LSI RC:RCC_CSR的LSION位配置; LSE OSC:RCC_BDCR的LSEON位配置;
I/O状态： 所有I/O为高阻态，除了： Reset 管脚； TAMPER引脚（温度传感器或者校验输出） WKUP引脚，如果使能； 通过配置DBGMCU_CR寄存器，软件可以调试，即使处于低电源模式； RTC可以用来唤醒MCU从低电源模式；
供电： VDD：2.0V--3.6V； 内嵌的电压管理器为内部数字区域分配1.8V电压； VBAT：当VDD不供电时，为RTC和Backup供电。通俗就是电池供电。
独立的A/D和D/A供电和参考电压： 为了提高转换精度，ADC和DAC需要独立的可以被滤波和从噪声中屏蔽的供电电源：VDDA作为供电输入,VSSA作为孤立的地，VREF-必须和VSSA连接；（这里我有个地方不太懂，前面说VDDA和VSSA必须相应连接VDD和VSS，这里又说需要使用VDDA和VSSA为ADC和DAC独立供电，这里很明显前后矛盾了，我在相关的群里问过，有人回答一般应用里面是直接连起来的。今天本打算去问老师，下课时，被拥挤的人流阻挡。。。如果大家有更好的建议，谢谢留言！） 在100-Pin和144-Pin中，VREF+是需要连接参考电压的，范围：2.4V--VDDA； 在少于等于64-Pin中，VREF-和VREF+都是不可用的，内部自动连接了ADC的VDDA和VSSA； 电池备份区域： 通过图，很好理解VBAT为那些东西（RTC单元、LSE振荡器、PC13、PC14、PC15）供电，实现从VDD转向VBAT供电，是通过复位模块的掉电复位PDR实现的。 在上升时间或者检测到一个PDR时，VBAT和VDD之间的切换还是保持在VBAT；在启动的时候，如果VDD稳定的时间小于上升时间TRSTTEMPO，并且VDD>VBAT+0.6V,一个电流就会从内部的连接VDD和Switch的二极管进去VBAT；如果VBAT不能承受这个电压，可以在VDD和VBAT之间放一个二极管。 不使用外部电池的时候，可以直接通过一个陶瓷二极管把VBAT和VDD连接. Backup由VDD供电： PC14和PC15可以被用作GPIO口和LSE； PC13可以用作GPIO、TAMPER、RTC校验时钟、RTC Alarm或者秒输出（register：BKR） PC13 to PC15不能用作电流源，最大输出3mA，最高速度2MHz和最大负载30pF Backup由VBAT供电： PC14和PC15可用作LSE； PC13可用作TAMPER，RTC Alarm或者秒输出（register：BKP_RTCCR）； 电压管理器： 复位后自动使能，三种模式： Run mode：为1.8V区域（core、memories和数字外设）正常供电； Stop mode：为1.8V提供低电源，保存SRAM中的内容； Standby mode：regulator被断电，除了Standby电路和Backup区域，寄存器、SRAM内容丢失； 供电管理器： POR和PDR：上升/下降到2V，复位启动；
相关寄存器： 电源控制寄存器（PWR_CR）：
DBP：消除备份区域的写保护，在复位状态，RTC和Backup寄存器被保护不被寄生的写入，为了对这些寄存器进行写操作，必须对DBP置位；
PLS[2:0]:PVD的等级选择
000--2.2V 001--2.3V 010--2.4V 011--2.5V .... 111--2.9V
PVDE:PVD使能位
CSBF:清楚待机标志位
CWUF:清楚唤醒标志位
PDDS:掉电深入睡眠位，同LPDS一起工作
0--当CPU进入深度睡眠，进入Stop模式，regulator状态由LPDS决定
1--当CPU进入深度睡眠，进入Standby模式
LPDS:低电源深度睡眠
0--电压管理器正常工作在Stop模式
1--电压管理器在Stop模式下出去低电源
电源控制/状态寄存器(PWR_CSR)：
EWUP:使能WKUP引脚,该位需要通过系统复位来复位
0--WKUP引脚被用作通用IO口，一个Event不会使CPU从Standby模式恢复；
1--WKUP引脚被用来唤醒CPU从Standby模式，并且强迫使输入电平拉低，当检测当上升沿的时候，CPU苏醒；
PVDO:PVD的输出,只有当PVDE被置位时，该位才有效.PVD会被Standby模式停止掉，PVD为0，当从Standby模式和 Reset启动后
0--VDD/VSSA比PLS中选中的电压高;
1--VDD/VSSA比PLS中选中的电压低;
SBF:Standby标志位(硬件置位，通过POR/PDR或者CSBF--PWR_CR位清0)
WUF:Wakeup标志位(硬件置位，通过硬件、系统复位、CWUF--PWR_CR位清0)
PVD可编程电压检测器： PVDE位使能;
监视VDD和VDDA的供电，通过和PLS[2:0]（PWR_CR）中选择的电压比较,PVDO标志位指示状态； 内部连接EXTI 16，使能EXTI寄存器，可以产生中断。当VDD/VDDA上升超过或者下降低于PVD设定值，就可以通过EXTI16产生中断输出。
低电源模式：
默认情况下，系统和电源复位，微控制器是在Run模式。
stm32f10XXX有三种低电源模式：
Sleep mode：CPU时钟关闭，其它保持；
Stop mode：所有时钟关闭；
Standby mode：1.8V区域断电；
通过降低系统时钟（RCC_CFGR）、APB时钟(RCC_APB1ENR、RCC_APB2ENR)和AHB外设可以降低能耗在Run mode下。
解释几个简写： WFI：Wait For Interrupt WFE：Wait For Event
Sleep mode: Sleep-now:SLEEPONEXIT清除，只要WFI和WFE指令执行，MCU就进入Sleep模式； Sleep-on-exit:SLEEPONEXIT被置位，只要退出最低权限ISR，MCU就进入Sleep模式； 在Sleep模式下，所有的I/O口保持相同的状态在Run模式下； 这种模式的唤醒实践最长，因为浪费在了中断进入和中断离开；
Stop mde: SRAM和寄存器中的内容被保持； 所有的I/O口保持在相同状态，在Run mode下； 内部电源管理器可以被设置为低电源模式（PWR_CR的LPDS位），再降低能耗； 如果编程或者APB通道正在进行，Stop模式的进入会延迟； 在此模式下，通过编程可以选择如下功能： IWDG：一旦开始，就只能通过复位关闭； RTC：RCC_BDCR的RTCE位使能； LSI RC:RCC_CSR的LSION位配置; LSE OSC:RCC_BDCR的LSEON位配置; ADC和DAC在Stop模式下会消耗电能，除非在进入Stop之前关闭。ADON（ADC_CR2）和ENx(DAC_CR)必须为0；
Standby mode： 该模式的能耗最低，基于Cortex-m3的深度睡眠，1.8V区域断电，PLL、HSI、HSE关闭，SRAM和寄存器内容丢失，只有Backup区域的寄存器和Standby电路保持；
在此模式下，通过编程可以选择如下功能： IWDG：一旦开始，就只能通过复位关闭； RTC：RCC_BDCR的RTCE位使能； LSI RC:RCC_CSR的LSION位配置; LSE OSC:RCC_BDCR的LSEON位配置;
I/O状态： 所有I/O为高阻态，除了： Reset 管脚； TAMPER引脚（温度传感器或者校验输出） WKUP引脚，如果使能； 通过配置DBGMCU_CR寄存器，软件可以调试，即使处于低电源模式； RTC可以用来唤醒MCU从低电源模式；