电路设计

如何设计PMOS防反接电路？

2019-07-16 07:46发布

站内问答 / 电路设计
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最近设计要一个电路，过去由于不注意功耗都是用的二极管做防反接电路，从网上找了一个参考设计，但是不知道参数是否合适。请高手给点意见，芯币不多但是点心意。电路要求5V工作电压，最大2A电流，也就是10W功耗。
7.png

PMOS参数：
电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）        4A        
漏源电压（Vdss）                                12V        
栅源极阈值电压（最大值）                        1.4V @ 250uA        
漏源导通电阻（最大值）                        55 mΩ @ 3A，4.5V        
类型        P 沟道

SOT23-3封装
稳压二极管：
ON(安森美) 1SMA5919BT3G
精度        ±5%        
稳压值(典型值）                               5.6V        
反向漏电流                                       2.5uA @ 3V        
最大功率                                               1.5W


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17条回答
riverdj
1楼-- · 2019-07-16 09:00
各位看看参数是否合适？给点意见
riverdj
2楼-- · 2019-07-16 10:43
设计参数选择计算依据：
PMOS开启电压4.5V > 5V;
PMOS Vdss 4A > 2A;
稳压二极管保护作用，不需要稳压。
稳压工作电压 5.6V > 5V  5%误差 最低5.32V > 5V,比较接近5V不会引起稳压二极管工作。
随行者011011
3楼-- · 2019-07-16 10:57
首帖电路，当输入反接时(5V端成为电源负端)，稳压二极管D1将使反接的电源短路，该稳压二极管估计立即烧毁，或者电源损坏。
riverdj
4楼-- · 2019-07-16 14:48
如果将D1调整为Q1的后面，是不是就可以防止D1导通呢？主要是请各位看看参数是否合适。
8.png
随行者011011
5楼-- · 2019-07-16 18:57
 精彩回答 2  元偷偷看……
riverdj
6楼-- · 2019-07-16 19:48
电路设计原理分析如下：当SW1接通后，Q1的寄生二极管导通，与负载形成回路，源极S电位大约为Vbat-0.6V（5V - 0.6V=4.4V），而栅极G的电位为0，PMOS管的开启电压极为：Ugs = 0 -（Vbat-0.6）(-4.4V)，栅极G表现为低电平，PMOS的ds导通，寄生二极管被短路，电路通过PMOS的ds接入形成工作回路。
如果反接，PMOS寄生二极管反接，电路是断开，栅极G表现为高电平，PMOS关断。整个电路不工作。电容C1可以起到缓冲栅极G电压的作用。但是，我选择的器件开启电压为-4.5V，是不是会出现PMOS无法开启的问题？
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