SD3078问题

2020-03-01 11:53发布

有人用过SD3078 IC做实时时钟吗?我这写了个程序,IIC读不到应答ACK,不知道是什么原因?求大神指教,有STM32F10x的例程就更好了,万分感谢!
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12条回答
mmuuss586
1楼-- · 2020-03-01 12:25
没有呢;
模拟IIC好了;
为啥不选DS1302呢
jiekou001
2楼-- · 2020-03-01 15:58
51的程序有,要不要
jiekou001
3楼-- · 2020-03-01 20:01
 精彩回答 2  元偷偷看……
jiekou001
4楼-- · 2020-03-01 23:45
一会儿给你找找32的
jiekou001
5楼-- · 2020-03-02 04:27
SD3088_STM32_demo.rar (400.63 KB, 下载次数: 30) 2018-1-18 20:30 上传 点击文件名下载附件



jiekou001
6楼-- · 2020-03-02 04:40

     SD3078是一种具有标准IIC接口的实时时钟芯片,CPU可使用该接口通过7位地址寻址来读写片内122字节寄存器的数据(包括时间寄存器、报警寄存器、控制寄存器、用户SRAM寄存器及ID码寄存器)。
    SD3078内置晶振及数字温度计,用户可以不用顾虑因外接晶振、谐振电容等所带来的元件匹配误差问题、晶振温度特性问题及可靠性问题,实现在常温及宽温范围内不需用户干预、全自动、全电源环境补偿的高精度、高可靠计时功能。
           
主要性能特点:
l 低功耗: 0.8μA 典型值(VBAT =3.0V,Ta=25℃)。   
l 工作电压:2.7V~5.5V,工作温度为-40℃~+85℃。
l 标准IIC总线接口方式,最高速度400KHZ(4.5V~5.5V)。
l 年、月、日、星期、时、分、秒的BCD码输入/输出,并可通过独立的地址访问各时间寄存器。
l 闰年自动调整功能(从2000年~2099年)。
l 可选择12/24小时制式.
l 内置年、月、日、星期、时、分、秒共7字节的报警数据寄存器及1字节的报警允许寄存器,共有96种组合报警
   方式,并有单事件报警和周期性报警两种中断输出模式,报警时间最长可设至100年。
l 周期性频率中断输出:从4096Hz~1/16Hz……1秒共十四种方波脉冲.
l 自动重置的三字节共24位的倒计时定时器,可选的4种时钟源(4096HZ、1024HZ、1秒、1分钟),最小定时为244us,最长定时可到31年,通过计算可获得较精确的毫秒级定时值。
l 三种中断均可选择从INT脚输出,并具有两个中断标志位.
l 内置70字节通用SRAM寄存器可用于存储用户的一般数据。
l 具有可控的32768HZ方波输出脚F32K,可以位允许/禁止32K输出。
l 内置8bit转换结果的数字温度传感器,为了节省电池电量消耗,设为VDD模式下60S间隔测温一次,电池模式600S间隔测温一次。
l 内置晶振和谐振电容,芯片内部通过高精度补偿方法,实现在宽温范围内高精度的计时功能,其中25℃精度<±3.8ppm(即每月误差10S)。     
l 具有一次性或充电的后备电池输入脚VBAT ,其内部的3.3V稳压充电电路可选择性地对外接的充电电池进行自动充电,内置的充电限流电阻可位选2KΩ、5KΩ和10KΩ三种。
l 内置电池电压检测功能,可读取当前电池电压值(三位有效数),设置高低电池报警电压值并从INT脚输出中断。
l 芯片依据不同的电压自动从VDD切换到VBAT或从VBAT切换到VDD。当芯片检测到主电源VDD掉到2.4V电压以下且VDD小于VBAT,芯片会转为由接在VBAT的后备电池供电;当VDD大于VBAT或VDD大于2.4V,则芯片会转为由VDD供电。(内置电源模式指示位PMF,VDD模式时PMF=0,VBAT模式时PMF=1)。
l 内置8字节的ID码(OTP型),芯片出厂之前设定的、全球唯一的身份识别码。
l 内置IIC总线0.5秒自动复位功能(从Start命令开始计时),该功能可以避免IIC总线挂死问题。
l 内置三个时钟数据写保护位, 避免对数据的误写操作,可更好地保护数据。
l 内置软件可控VBAT模式IIC总线通信禁止功能(BATIIC=0,VBAT模式下禁止IIC通信;BATIIC=1,VBAT模式下允许IIC通信.上电默认值BATIIC=0),从而避免在电池供电时CPU对时钟操作所消耗的电池电量,也可避免在VDD上、下电的过程中因CPU的I/O端口所输出的不受控的杂波信号对时钟芯片的误写操作,进一步提高时钟芯片的可靠性。
l 内置上电指示位RTCF,当包括电池在内的所有电源第一次上电时该位置1。
l 内置电池电压欠压指示位BLF,当电池电压低于2.2V时BLF位置1。 
l 内置停振检测位OSF,当内部振荡器停止振荡时该位置1。 
l 芯片管脚抗静电(ESD)>2KV。
l 芯片在兴威帆的评估板上可通过4KV的群脉冲(EFT)干扰。
l CMOS 工艺
l 封装形式:SOP8(宽度208mil)。

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