1，有的I2C接口的EEPROM支持页读写和擦除，比如支持256Byte的同时读入和擦除，并且看DT上说的最大写入时间6MS，这个时间指的是什么啊？因为我光i2c传输256Byte的数据到EEPROM，都不止6ms，页写的的时候是不是也是连续写比如256个字节的数到EEPROM的缓冲区，然后这个最大写入时间指的就是它自身的那缓冲区的数据写进EEPROM里？看DT没看懂，以前没研究过存储的东东。
2，页写入的时候没必要每次都写入256Byte吧，我可不可以一次写入比如20Byte这样子呢?当然不是字节写入那样一个字节字节的那就太慢了！
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多谢，上面的两条了解了，对于第三条，那比如我用的256Byte一页的EEPROM，现在我每一条数据只有20字节，我要想页写入，如果我只传输20个的话，EEPROM写入的还是256个的数据？剩下的是默认的？那这样设计的话EEPROM的页写入真的就没多大意义了啊，每次改一个页里的某几十个数据的话，我是不是先要把这一页所有的数据读出来放在单片机的RAM里，把要改写的改掉，再把这一页写进去，怎么感觉还Flash的存储器没什么区别了啊？除了单字节写入。
"对于第三条，那比如我用的256Byte一页的EEPROM，现在我每一条数据只有20字节，我要想页写入，如果我只传输20个的话，EEPROM写入的还是256个的数据？"是的,同时数据有可能变成不确定的数据,且会把原来的数据冲掉;所以页写模式需要传输1页的数据才能进行写的.
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