hjy0519 发表于 2019-1-28 03:55
这是N沟道场效应管，按楼主这种接法，反接也导通了。N沟道场效应管通常S接地，导通条件是VGS大于某个电压 ...

从电流流向来说，赞同DS互换的接法，应用来说问题不大。但从系统来说，还是该用P沟管接在电源端。

轩焱森 发表于 2019-1-30 08:38
从电流流向来说，赞同DS互换的接法，应用来说问题不大。但从系统来说，还是该用P沟管接在电源端。

“从电流流向来说，赞同DS互换的接法，应用来说问题不大”

首帖电路若将N沟MOS管DS互换，就没有防反接作用了。

maychang 发表于 2019-1-30 10:13
“从电流流向来说，赞同DS互换的接法，应用来说问题不大”

首帖电路若将N沟MOS管DS互换，就没有防反接 ...

确实，只是工作起来电流岂不是S向D流？楼主原接法用起来了吗？

轩焱森 发表于 2019-1-31 10:06
确实，只是工作起来电流岂不是S向D流？楼主原接法用起来了吗？

N沟MOS管，电流从源极流向漏极完全可以。
事实上，无论是N沟管还是P沟管，场效应管导通后就是一个低值电阻，电流无论从哪个方向流都可以。正因为电流从哪个方向流都可以，MOS管才能够实现模拟开关。这一点双极型三极管办不到。

maychang 发表于 2019-1-31 10:24
N沟MOS管，电流从源极流向漏极完全可以。
事实上，无论是N沟管还是P沟管，场效应管导通后就是一个低值电 ...

受教了。