已经有N管低端驱动了，在电源端用P管画蛇添足。你这种用法如果R61和R63左边给的频率稍稍快点，MOS在一些时刻有可能工作在非开关区，就有可能过热烧掉。

Vgs电压超过器件的极限耐压了吧

辣条 发表于 2019-6-10 15:42
已经有N管低端驱动了，在电源端用P管画蛇添足。你这种用法如果R61和R63左边给的频率稍稍快点，MOS在一些时 ...

有六条灯，每条三种颜 {MOD}，需要单独控制某一条灯的颜 {MOD}和亮度，如果只用NMOS管，不知道怎么实现。
另外我问的是为什么PMOS会损坏

会不会电池电压下降，引起PMOS进入退饱和区（类似三级管放大区）过热，电路板有没有发黄的现象。

为什么三种颜 {MOD}用的 PMOS 管的型号不一样？ 好像前两个是用双管封装。
是 QM60 损坏， QM61 不损坏吗？ 如果是这样，应该考虑双管的散热问题。