STM32

STM32写数据到Flash区域的疑问

2019-08-17 10:27发布

站内问答 / STM32/STM8
9704 8 1180
使用实验34 FLASH模拟EEPROM实验的Flash写操作函数 STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite)   
从0x08003000开始写入数据，一次写入200个字节，刚开始写入正常，但是当起始地址为0x080033e8的时候，再写入200个字节时，从0x08003400开始就再也写不进去了，   从0x08003000开始写

这是为什么， 我的芯片是STM32F103RBT6
void STMFLASH_Write(u32 WriteAddr,u16 *pBuffer,u16 NumToWrite) 
{
u32 secpos;   //扇区地址
u16 secoff;   //扇区内偏移地址(16位字计算)
u16 secremain; //扇区内剩余地址(16位字计算)   
  u16 i;    
u32 offaddr;   //去掉0X08000000后的地址
if(WriteAddr<STM32_FLASH_BASE||(WriteAddr>=(STM32_FLASH_BASE+1024*STM32_FLASH_SIZE)))return;//非法地址
FLASH_Unlock(); //解锁
offaddr=WriteAddr-STM32_FLASH_BASE; //实际偏移地址.
secpos=offaddr/STM_SECTOR_SIZE; //扇区地址  0~127 for STM32F103RBT6
secoff=(offaddr%STM_SECTOR_SIZE)/2; //在扇区内的偏移(2个字节为基本单位.)
secremain=STM_SECTOR_SIZE/2-secoff; //扇区剩余空间大小   
if(NumToWrite<=secremain)secremain=NumToWrite;//不大于该扇区范围
while(1) 
{ 
STMFLASH_Read(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//读出整个扇区的内容
for(i=0;i<secremain;i++)//校验数据
{
if(STMFLASH_BUF[secoff+i]!=0XFFFF)break;//需要擦除    
}
if(i<secremain)//需要擦除
{
FLASH_ErasePage(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE);//擦除这个扇区
for(i=0;i<secremain;i++)//复制
{
STMFLASH_BUF[i+secoff]=pBuffer;  
}
STMFLASH_Write_NoCheck(secpos*STM_SECTOR_SIZE+STM32_FLASH_BASE,STMFLASH_BUF,STM_SECTOR_SIZE/2);//写入整个扇区  
}else STMFLASH_Write_NoCheck(WriteAddr,pBuffer,secremain);//写已经擦除了的,直接写入扇区剩余区间.   
if(NumToWrite==secremain)break;//写入结束了
else//写入未结束
{
secpos++; //扇区地址增1
secoff=0; //偏移位置为0  
  pBuffer+=secremain;   //指针偏移
WriteAddr+=secremain; //写地址偏移   
  NumToWrite-=secremain; //字节(16位)数递减
if(NumToWrite>(STM_SECTOR_SIZE/2))secremain=STM_SECTOR_SIZE/2;//下一个扇区还是写不完
else secremain=NumToWrite;//下一个扇区可以写完了
}  
}; 
FLASH_Lock();//上锁
}


后来有人告诉我说:
 我从0x08003000开始写，单次写入200个，当从0x08003000开始写入200个的时候，这200个数据跨越2个页，这样有问题，
他说  每次写入数据的个数要满足能被页整除，也就是能被1024整除，我选择了128，单次写入128个，确实成功了，

每次写入数据的个数要满足能被页整除，这个条件是必须的嘛？  难道一次写入的数据长度不满足上述条件就不行？、

这样不是会有Flash区域的浪费吗？

友情提示: 此问题已得到解决，问题已经关闭,关闭后问题禁止继续编辑，回答。