SD卡的SDIO初始化时，原子的程序默认是设置成 不使能旁路模式，SDIO_CK的的时钟为SDIOCLK/(2+CLKDIV)，我用的是SDHC卡，程序中CLKDIV设置为0，SDIOCLK固定为48Mhz，即，SDIO_CK=24Mhz
我改成使能旁路模式（并把程序中相应设置CLKDIV，即设置SDIO->CLKCR的程序注释），SDIO_CK的时钟就是直接由SDIOCLK提供，理论就是SDIO_CK=48Mhz

我读图片时检测发现，旁路模式使能和不使能区别不大，是有提速，但是理论不应该是快一倍的吗？涉及到的设置还有哪些吗？

我改的部分就是以下语句而已，
SD_Error SD_PowerON(void)函数中：
    SDIO_InitStructure.SDIO_ClockBypass = SDIO_ClockBypass_Enable;

SD_Error SD_Init(void)函数中（注释）：
//                if(SDCardInfo.CardType==SDIO_STD_CAPACITY_SD_CARD_V1_1||SDCardInfo.CardType==SDIO_STD_CAPACITY_SD_CARD_V2_0)
//                {
//                        clkdiv=SDIO_TRANSFER_CLK_DIV+2;        //V1.1/V2.0卡，设置最高48/4=12Mhz
//                }else clkdiv=SDIO_TRANSFER_CLK_DIV;        //SDHC等其他卡，设置最高48/2=24Mhz
//                SDIO_Clock_Set(clkdiv);        //设置时钟频率，SDIO时钟公式:SDIO_CK时钟=SDIOCLK/[clkdiv+2];其中，SDIOCLK固定为48Mhz