本帖最后由 翼间 于 2019-5-8 08:52 编辑

串行FLASH的写速度慢不是因为MCU慢，而是串行的FLASH写入速度本身就慢，提高总线时钟频率只能提高读的速度，而写入和擦除的速度的瓶颈是受限于FLASH芯片本身的参数，用什么库根本没影响，以华邦的25Q64为例，数据手册上都告诉你了，写一页256个字节的典型时间是0.45毫秒，写一个4K扇区的典型时间是60毫秒，写一个32K块的典型时间是120毫秒，擦除整片的典型时间是20秒，这里任意一个时间都远远大于SPI端口的操作时间，必须要加延时等待写入完毕。所以：需要频繁改写的数据不要存到串行FLASH里，如果不得不频繁改写，RAM里开辟一个缓存区，把要改写的那部分读出来，改写只在RAM里改写，隔一段时间才真正写入FLASH一次，降低写入频率，缺点是这段时间内发生断电的话可能会丢失这段时间内改写的数据，如果不能接受数据丢失，那就必须用铁电或者并口的FLASH之类的高速存储器。